化合物半导体

化合物半导体（如 GaN、SiC、VCSEL、LED 等）具备高电子迁移率、高耐压、高频操作与耐热特性，被广泛应用于车用电源模组、高效率电源转换（SMPS / 快充）、雷射光源、光通讯与感测器等领域。
与硅（Si）不同，化合物材料本身具有晶格不匹配、缺陷密度高、热膨胀系数差异大等特性，这些先天条件使其制程控制、界面品质与长期可靠度更加敏感。

在晶体生长、外延沉积、蚀刻、金属接触形成到封装过程中，晶体结构缺陷、导电层与阻挡层的界面品质、接触电阻稳定性、热管理能力都会直接影响元件效率、功率密度与寿命。因此，化合物半导体的量产能力，取决于能否精确掌握材料与界面状态，并建立可量测、可追溯的可靠度验证方法。

闳康科技在化合物半导体领域，协助客户评估晶体结构品质（缺陷密度与位向分佈）、材料扩散行为、电性导通界面、封装热应力与长期可靠度。透过高解析结构分析、电性行为对应与加速寿命试验，可确认元件性能衰退、转折点与导致失效的根本机制，并提供制程与材料调整方向。