SCM 扫描式电容显微镜
扫描式电容显微镜可观察二维掺杂影像,并可分辨N型区域与P型区域,对于掺杂异常分布所导致的故障及逆向工程分析相当有帮助。
除此之外,此分析技术可补其它分析技术之不足,如:二次离子质谱仪(SIMS)分析与展阻分析仪(SRP)仅能呈现一维分布及SEM搭配化学蚀刻染色之分析技术不易精确控制蚀刻率等。
扫描式电容显微镜建立于扫描探针显微镜的架构上,因此其平面解析度可达20纳米,分析时加AC电压于金属镀膜探针上,量测dC/dV讯号转换为二维掺杂分布,可分辨出N型与P型区域及其界面。
- N型与P型掺杂分析
- P-N接面分布分析
- 因掺杂分布异常导致故障/漏电分析
- 逆向工程分析掺杂二维分布

图-1 扫描式电容显微镜主要应用于二为载子浓度影像的观察与分析

图-2 Bruker D3100, Multiprobe Hyperion

图-2 (a) 截面分析显示SRAM样品的掺杂类型及分布; (b) CIS array掺杂分布

图-3 Trench掺杂平面分布