PEM-InGaAs
InGaAs EMMI 与传统EMMI (Si CCD) 的侦测原理一样是侦测电子-电洞结合与热载子所激发出的光子，但由于两者光子侦测器的材料不同(InGaAs及Si)，侦测的波长范围也就不一样，InGaAs因为能隙较小，可侦测的波长就比较长，范围约在900nm到1700nm之间，已是红外线的波段，随着元件制程越驱缩小，操作电压也随之降低，热载子的能量也跟着变小，因此因为热载子所激发出的光波长也跟着变长，而进入红外线的范围，所以InGaAs便非常适合先进制程对亮点定位的需求。此外，InGaAs的侦测灵敏度也比CCD EMMI来得高，为了获得较好的亮点侦测能力，InGaAs也是绝佳的选择。
机台种类
HAMAMATSU PHEMOS-1000
分析应用
与 CCD EMMI 的应用雷同，但比 CCD EMMI 多了以下优点：
- 针对低电压操作的 IC 检测提供了更快速的亮点定位 (漏电产生的波长较长)
- 红外线侦测 (高量子效率) 的高灵敏度
- 针对 IC 背面的定位分析，红外线对硅基板的透光率较高
- 在亮点侦测期间 (积分期间)，其亮点的呈现是即时的，而不是 CCD EMMI 需在积分完才作亮点的呈现
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