TFT-LCD 液晶显示器产业
随着显示技术持续朝 高分辨率、低功耗、薄型化与高可靠度 发展，TFT-LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display）面板在电视、笔记本电脑、工业显示器、车用显示与医疗设备等应用领域中仍扮演关键角色。从 玻璃基板、TFT 数组制程、彩色滤光片、偏光片到模块封装，每一个制程环节都可能因材料缺陷、制程污染或微结构异常而影响显示质量与产品良率。
在 TFT-LCD 产业中，常见的问题包含 亮暗点、线缺陷、Mura（亮度不均）、材料污染、金属扩散、薄膜厚度异常与界面剥离 等。这些问题往往需要透过 材料分析、表面分析与故障分析技术的整合，才能精准定位缺陷来源并厘清失效机制。
闳康科技结合 材料分析（MA）、表面分析（SA）与故障分析（FA），提供完整的 TFT-LCD 检测与分析解决方案。透过光学显微镜（OM）、扫描式电子显微镜（SEM）、能量散射光谱（EDS）、聚焦离子束（FIB）、X-ray、表面轮廓量测与各类化学分析等技术，可深入解析 面板结构、薄膜材料组成与微观缺陷分布，协助客户快速定位制程异常并提升产品可靠度与量产良率。
在 TFT-LCD 显示面板制程中，薄膜沉积、蚀刻、光罩对位与材料质量等因素，都可能影响 TFT 结构完整性与组件电性表现。透过材料分析与高解析结构观察技术，可针对制程缺陷进行精准定位与失效机制判定。以下为 TFT-LCD 制程中常见的分析案例。
1.颗粒污染导致暗点
在 TFT-LCD 制程中，若制程环境或材料表面存在微粒污染，可能造成 TFT 组件局部结构异常，进而影响像素电路的正常运作，导致显示面板出现暗点缺陷。
透过 光学显微镜（OM）平面观察 可快速定位缺陷区域，再利用 截面扫描式电子显微镜（Cross-section SEM） 进行结构分析，可进一步确认颗粒污染对金属层或介电层的影响，并判定缺陷形成原因。
2.源极／汲极金属蚀刻残留
在 TFT 组件制程中，Source/Drain 金属蚀刻若未完全去除材料，可能在组件结构中留下金属残留物。这些残留物可能造成：
- 电性漏电
- 短路风险
- 组件可靠度下降
透过光学显微镜（OM） 可观察表面异常，再利用 截面穿透式电子显微镜（TEM） 进行高解析结构分析，可清楚辨识金属残留位置与形貌，进一步厘清蚀刻制程异常原因。
3.非晶硅层侧壁角度分析
TFT-LCD 中的 非晶硅（a-Si）薄膜结构 是影响组件电性的重要关键。当 n⁺-aSi 与 intrinsic a-Si 层之间的侧壁角度或形貌控制不佳时，可能影响：
- 组件信道特性
- 电流传输效率
- 组件稳定度
透过 截面 TEM 分析 可清楚观察非晶硅层的结构轮廓与界面形貌，并评估薄膜沉积与蚀刻制程是否符合设计要求。
