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电性量测

技术原理

 

电性量测的目的,是为了验证及量测半导体电子元件的参数与特性,如电压-电流、电容-电压特性曲线、电阻、电容、电感值量测或讯号波形等,借此了解元件的失效行为以推测可能的故障机制,并决定后续的分析动作。

 

闳康亦针对chip level提供硬针及软针(主要针对线路修补后之电性量测及验证)之探针量测服务,配合probe station与针座的架设,可同时点六根针,probe station上配有Laser cutting system,可做为定位之用。

机台种类
I-V-a-0 I-V-b-0 I-V-c-0

图 (a) 半导体参数分析仪 (HP4156C) 

 

图 (b) 半导体参数分析仪 (Keysight B1500A) 图 (c) 高压电源供应器 (Keithley 2410)
I-V-d-0 I-V-e-0 I-V-f-0

图 (d) 高压电源供应器 (Keithley 2290, 5KV/5mA)

 

图 (e) 三输出电源供应器 (E3631A, 6V/5A, +/-25V/1A) 图 (f) 电源供应器 (BK LPS505n, 32V/3A, 15V/5A)
I-V-g-0 I-V-h-0 I-V-i-0

图 (g) 数位电表 (34401A) 

 

图 (h) 示波器 (DSO-X 3104A) 图 (i) 直流电子负载 (DC Electronic Load 63600)
I-V-j-0 I-V-k-0  
图 (j) 讯号产生器 (Keysight 33500B) 图 (k) 高功率器件分析仪 (Keysight B1506A, +/-3KV/20A)  
分析应用

极低的漏电流测量(例如光二极体或太阳能电池的暗电流测量),CMOS电路,双极性元件,BiCMOS IC 的半导体参数测量(或者是Spice参数测量),开/短路试验,CV 测量,电感测量,和IC 直流/交流测试。

 

I-V-2a-a I-V-2b-b

图 (a) NMOS Vds-Ids特性曲线

图 (b) PMOS Vds-Ids特性曲线
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