PEM-CCD
在IC故障分析的流程中，EMMI(又叫做PEM, Photon Emission Microscope)是非常基本且常用的故障点定位工具，传统的EMMI是采用冷却式电荷耦合元件(C-CCD)来侦测光子，其侦测波长范围介于400nm到1100nm间，此波长相当于可见光和红外光。
当半导体元件有过多的电子-电洞对产生，会因电子-电洞的结合而产生光子，或者元件的热载子释放出多余的动能，会以光子的型式呈现，此两种机制所产生的光子可被EMMI 侦测到，所以举凡接面漏电、氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应、撞击游离、顺向偏压及在饱和区域操作的电晶体，可由EMMI精确地定位出亮点，进而推知积体电路中的缺陷位置，对后续的电路分析与物性故障分析有莫大的帮助。
机台种类
HAMAMATSU PHEMOS-1000
分析应用
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会激发光子的缺陷
- P-N 接面漏电或崩溃
- 因开路或短路而误动作的电晶体
- 闩锁效应
- 闸极氧化层漏电
- 细丝残留的多晶硅
- 硅基底的损害
- 烧毁的元件假缺陷 (正常操作即会激发光子)
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假缺陷 (正常操作即会激发光子)
- 浮接状态的闸极
- 饱和区操作中的 BJT 或 MOSFET
- 顺向偏压的二极体
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侦测不到光子的情形缺陷
- 光激发位置被上方层次挡到
- 埋入式的接面
- 大面积金属线底下的漏电位置
- 电阻性短路或桥接
- 金属连接短路 (有时仍会被 EMMI 侦测到)
- 表面导通路径
- 硅导通路径
- 漏电过小 (<0.1uA)
- 光激发位置被上方层次挡到
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