EBIC/EBAC
EBIC（Electron Beam Induced Current）电子束诱发电流分析技术 是 SEM 失效分析（SEM Failure Analysis）中重要的电性定位方法之一。此技术利用电子束与半导体材料交互作用产生的电子电洞对（electron–hole pairs），透过外部探针形成电流回路，藉由电流影像即可判读接面轮廓、缺陷位置与漏电区域，进而找出组件失效的根本原因。
EBAC（Electron Beam Absorbed Current）电子束吸收电流技术 是扫描式电子显微镜（SEM）故障分析中重要的电性定位工具之一，特别适用于分析金属互连结构中的导通问题。透过电子束扫描与电流量测，EBAC 能快速找出电路中导通中断的位置，使工程师能有效定位开路或高阻抗缺陷，并进一步进行后续物理分析。
EBIC (Electron Beam Induced Current)
技术可用来找出接面的缺陷、观察p-n接面的轮廓和计算出扩散长度(diffusion length)。
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电子束撞击试片时会产生电子电洞对，电子电洞对受到空乏区内建电场的分离，再经由点针所构成的回路形成电流，由电流影像可判断缺陷位置与接面轮廓。
EBAC (Electron Beam Absorbed Current)
可快速且有效地定位出线路上开路(open)或桥接(short)的位置。
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电子束穿过护层或IMD，在metal层累积电荷，metal 层可深达3到4层，累积的电荷因点针构成的回路而形成电流，由电流影像便可判断开路与短路的位置。
常见问题
Q1. 闸极氧化层崩溃 (gate oxide breakdown) 该如何找出失效真因？
利用EBIC(electron beam induced current)技术，就可以轻易找到闸极氧化层崩溃的位置喔。
由于电子束撞击样品时产生电子电洞对，再经由点针构成的回路形成电流，就可以由电流影像来判断缺陷的位置。
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上海实验室｜Nano Probing、EBIC/EBAC
