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IC Packaging and Testing
IC 封装测试

IC 封装与测试是芯片完成晶圆制造后的关键阶段。封装的目的不是仅将芯片保护起来,而是透过重新分布布线(RDL)、导线键合或凸块接合、底部填充(Underfill)等技术,使芯片能以稳定的电性与机械强度,与系统电路板连接并完成散热路径设计。随着芯片整合度与频宽需求提高,封装不再是单纯的结构作业,而是直接影响讯号完整性、热管理、可靠度与系统效能的关键环节。

 

在实际制程中,封装材料特性、RDL 与 Bump 结构、层间热膨胀差异、焊接与迴焊条件等因素,都可能造成界面弱化、裂缝、金属空洞或电性偏移。这些问题可能在封装初期、系统组装、使用寿命中不同阶段出现,因此需要以结构分析和应力评估建立可追溯的判定依据。

 

闳康科技协助封装与测试厂在样品导入、量产放大、封装转换及客诉应对过程中,提供 截面结构验证、封装界面完整性分析、封装后电性变化判定与可靠度寿命评估。透过高解析度剖面量测与非破坏检测,可以确认异常位置与形成机制;透过可靠度试验,可预测封装组件在温度循环、湿度负载与机械压力条件下的稳定性。

Application Examples
应用实例
适用服务项目
服务类别 常见问题情境 闳康提供技术
封装结构截面分析 封装后电性异常、界面脆弱、良率下降 FIB 截面制备、SEM / TEM / STEM、EDS 材料分佈分析
非破坏性封装检查 客诉案件、封装一致性确认、量产抽验 X-ray、XCT(3D X-ray)、SAM、SAT
封装应力与热行为评估 高温/迴焊后异常、寿命衰退 热循环试验前/后截面对照、热分佈 / 应力相关结构分析
封装后可靠度验证(RA) 车用/工控/消费电子产品寿命评估 TC、HAST、HTS、温度回焊、Drop Test、Power Cycling
封装设计/材料差异比对 新封装导入或封装转单时风险确认 封装前后结构对照、材料特性差异分析、设计支援建议
多元检测技术于封装与制程结构分析之应用
下图展示不同检测与量测技术于封装与制程分析中的应用情境:(a) 以光学轮廓量测(OP)呈现表面高度与平整度分佈,用于评估结构翘曲与形貌差异;(b) 透过扫描式电子显微镜(SEM)观察表面微观缺陷与结构细节;(c) 检视柔性电路板(FPC)上金属线路(Metal fingers)的成形状况与一致性;(d) 进行光罩检测(Photo mask inspection),确认图形转移与制程品质。透过多层次影像与量测结果交叉比对,可有效支援封装结构与制程异常的判读与分析。
 
IC-Testing-4
(a) OP;(b) SEM;(c) Metal fingers formation on FPC ;(d) Photo mask inspection
 
 
常见问题
Q1. 封装后晶片的电性为何会与封装前不同?
A . 封装过程中的热负载、介面黏着性与佈线层应力会影响电性表现。
Q2. 封装内部是否存在空洞或裂缝,如何确认?
A . 此类缺陷可能隐藏在封装体内,需以非破坏性方式检查。
Q3. 封装后使用一段时间才出现失效,原因可能是什么?
A . 多与热循环、材料疲劳或界面弱化相关。
Q4. 封装转移(换封装厂/改封装材料)时如何降低风险?
A . 需比较封装前后的界面、材料特性与电性差异。
Q5. 样品量少时可以做封装分析吗?
A . 可以,封装截面与非破坏检查都可在少量样品上完成。

封装结构与外观分析

封装内部缺陷定位

封装材料与成分分析

封装电性失效分析

封装可靠度分析

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