Thermal EMMI
THEMOS mini为简易、节省空间之最新电性故障定位设备，可直接并快速地透过IC正面或背面来找出缺陷所在位置，更可在IC未开盖状态下定位出失效点为IC本身或封装问题，是非破坏性分析的绝佳利器。
其原理乃利用高灵敏度之InSb detector侦测IC在通电状态下，缺陷位置所产生之热辐射的分布，借以定位出失效所在位置，甚至可估算出热源在纵深的距离，非常适合stacked die的封装产品分析。
此设备原理类似于早期的液晶侦测技术，除了IC与Package以外，还可应用于大面积的产品，如PCB、面板、被动元件等。
机台种类
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| Thermo ELITE | Thermo ELITE |
Thermo ELITE 规格
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Characteristics |
Limit |
|---|---|
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高电压范围 |
±3000V (@100mA) |
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高电流范围 |
3A (@40V) |
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锁定频率 |
1Hz~89Hz |
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广角镜范围 |
30cm*30cm |
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镜片 |
WA、1X、10X、LSM20X、LSM50X |
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特点 |
背面探针、镶嵌拼接 |
HAMAMATSU THEMOS mini
分析应用
- 具市场上最高灵敏度的热源侦测系统
- 即时锁定测量，提高信噪比
- 差异化温度解析度：数秒后 <1 mK；数小时后 <10 uK
- 检测金属接触孔的阻值异常部分( via/contact )
- 堆叠晶片、封装打线、PCB 属traces缺陷或短路
- 介电层崩溃/漏电
- TFT-LCD 漏电/Organic EL漏电定位
- 侦测元件开发阶段时于应用状态下之异常温度变化
- ESD与闩锁效应
- 热源纵深判读
- 静态/动态分析
Thermal emission analysis image through IC's backside
(a) IC backside 影像+thermal emission ； (b) Thermal emission
Thermal emission analysis image through IC’s front side
(a) IC外观图 ； (b) X-ray 照片 ； (c) 热影像图
Thermal emission heat source depth estimation
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