chip internal defect location
芯片内部缺陷定位
芯片内部缺陷定位是半导体失效分析中的关键步骤，目的在于于不破坏或最小破坏样品的前提下，精准找出芯片内部真正发生异常的位置。随着先进制程节点与高整合 IC 架构发展，缺陷往往隐藏于多层金属、复杂互连或主动元件区域，仅透过外观或单一量测已难以判断失效来源，因此必须透过系统化的缺陷定位流程，逐步缩小范围，为后续结构与材料分析建立明确方向。
常见芯片内部缺陷定位的问题
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芯片功能异常但外观正常
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电性量测显示短路（Short）或漏电（Leakage）
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局部区域过热或电性不稳定
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ESD / EOS 损伤导致内部结构异常
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先进制程或高整合芯片无法以传统方法判断失效位置
闳康的芯片内部缺陷定位分析能力
闳康科技依据多年半导体失效分析经验，建立由电性特征 → 缺陷讯号 → 精准定位的分析流程，协助客户在复杂结构中有效锁定真正的缺陷来源。
01
电性特征
(Electrical characteristics)
02
缺陷讯号
(Defect signal)
03
精准定位
(Precise positioning)
