【2022年Q2技术发表会】先进工艺及封装－超越摩尔定律的关键?

活动花絮

闳康科技【2022年Q2技术发表会】，于5/19(四)圆满落幕！

闳康科技于5月19日举办2022年第二季的技术发表会，本季的主题是「超越摩尔定律的关键，谈先进工艺及封装」。这次的技术发表会由于主题非常新颖，甫开放报名便吸引来自海内外的客户争取报名名额。最后共完成超过350位线上名额注册，加上现场的50位贵宾席，超过400位的业界先进一同参与，着实让我们感受到大家对于新技术发展的关心。

发表会的第一场演讲，请到的是台湾阳明交通大学电子研究所的崔秉钺教授，带来「碳化硅高功率元件的魔法」主题。崔教授细数了从硅元件一路发展到碳化硅及氮化镓材料的演进过程，详细介绍这些宽能隙材料的物理及电性特性。除此之外，崔教授另完整整理了欧美日元件大厂在碳化硅产品的现况和未来发展方向，也针对碳化硅产业链及发展现况作了详尽的说明。

发表会的第二场，则是由台湾大学电子工程研究所的刘致为教授，介绍最新的堆叠式三维晶体管发展现况。刘教授是全球垂直堆叠通道栅极环绕式晶体管的研究先驱，发表论文超过620篇，并且获得超过63项的美国专利。在演讲中刘教授针对高层数、高迁移率，以及极薄通道的环绕栅极(Gate-All-Around, GAA) 晶体管加以介绍及举例。特别是有别于现行业界在GAA晶体管，多为三层或四层的堆叠结构，刘教授展示了他所制作的八层GAA晶体管的成果，并介绍了他结合了鳍式晶体管(Fin-FET)以及环绕栅极晶体管(GAAFET)的结构优点，所独创的树形晶体管(Tree-FET)，让人佩服刘教授在先进晶体管的研发成果。

第三场则是由闳康科技TEM处的施嘉昌博士，介绍闳康科技近几年询问度及送件量都非常热门的EBSD分析技术及应用。施博士除了针对EBSD的学理及仪器原理详细介绍之外，并列举了十个实际的分析案例，让所有参加者充分了解EBSD优越的分析能力以及它广泛应用的范畴。

闳康科技于每一季的第二个月均会举办技术发表会，邀请学界知名学者介绍最新的研究主题，也邀请闳康极富经验的技术同仁，介绍最热门的分析技术及应用实例。2022年第三季技术发表会将于八月中下旬举办，相关报名资讯都将在活动前一个月于官网公告，欢迎随时关注闳康官网及官方社群动态，我们下一季见!