【2022年Q3技术发表会】挺进电动车时代的主要动能-宽能隙半导体

闳康科技 2022 年的第三季技术发表会，已经于 8 月 18 日盛大举行，本次也如同往常，获得了闳康客户的广大回响，从开放报名开始，询问及注册的信件就不断涌入，直到截止收件，都仍陆续收到客户想报名的要求。闳康科技感受到客户那份追求新知、学习不倦的热情，为了回报客户的热烈支持，我们每一季都会努力准备非常精彩的演讲主题，让客户能够满载而归！

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

这一季的技术发表会，我们也为大家邀请到三位教授及技术专家，分享他们的研究心得。第一场请到的是—清华大学工程与系统科学系的巫勇贤教授，介绍高密度储存应用的铁电内存。巫教授先从现代计算系统遇到的瓶颈、发展中神经网络运算的需求，来引出次世代内存发展时必须具备的特点，在比较各类型的内存技术之后，说明铁电内存的优点及能够胜出的原因。巫教授借着演讲破除一个普遍迷思：铁电内存其实并不包含「铁（Fe）」元素，而是掺杂了不同比例的「铪（Hf）」以及「锆（Zr）」贵重金属，藉由这些铁磁性材料的磁滞效应（Magnetic Hysteresis），达到储存数据的目的，接着进一步介绍铁电内存面临的挑战，以及未来的发展趋势。教授也分享了他的研究成果，特别提到有许多的结构分析都是由闳康科技完成的，我们也非常荣幸能为教授的研究带来如虎添翼的帮助。

 

 

 

 

 

 

 

 

第二场演讲由清华大学电机工程系的黄智方教授，介绍时下非常热门的宽能隙半导体—碳化硅组件的研究技术发展。黄教授先从两个知名研调机构不约而同预测了碳化硅的产值会在 2025 年左右达到 10 亿美金来破题，说明碳化硅的产业即将进入高成长期。接着黄教授深入浅出地介绍碳化硅材料的特性、工艺现况、瓶颈及未来发展方向，再进一步说明碳化硅组件的结构及电性物理特性，并分析目前各家市售碳化硅产品结构设计的特点以及发展历程，最后教授介绍了用碳化硅材料制作金氧半晶体管（SiC - MOSFET）的设计以及实例，并分享只要克服成本以及工艺的瓶颈，碳化硅在高功率应用场域就能够全面取代硅材料的组件。

 

 

 

 

 

第三场演讲则是由—闳康科技可靠度工程事业群的张筌钧副处长，介绍高可靠度电子组件的验证规划，副处长先说明高可靠度电子产品的三个特性：牵涉人身安全、需要长寿命以及低失效率。他也澄清以往大家误会了高可靠度就是高寿命的认知，并用浴缸曲线图解列举了产品可靠度与产品寿命之间的各种可能性，说明高可靠度不等于高寿命，也给大家建立了高可靠度与验证失效率相关的概念。接着副处长介绍了在汽车电子（车用电子）验证上提升可靠度的做法及流程，从测试项目到样品数量，都有一定的要求，也强调车用电子的可靠度验证是以「实现零缺陷」的严格条件为验证目标。最后他用数学公式推导、加上信心水平的条件，来介绍如何预估电子组件的寿命，让大家对于车用电子的可靠度验证有更深的认识。

 

 

 

活动花絮