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08.02
2024
扫描式电子显微镜分析技术的发展 - 以宽能隙半导体的外延缺陷分析为例
本文的讨论主要聚焦于具有六方结构的几种宽能隙半导体，如氮化镓（GaN,Eg=3.4 eV）、氮化铝（AlN, Eg=6.2 eV）、氧化锌（ZnO, Eg=3.3 eV）和碳化硅（4HSiC/6H-SiC, Eg=2.8-3.2 eV）。这些宽能隙半导体，特别是氮化镓、氮化铝和氧化锌，已经广泛应用于表面声波组件、紫外光与蓝光的侦测器、发光二极管和激光二极管。
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07.01
2024
二次离子质谱仪(SIMS)于集成电路工艺质量监控的分析应用
顶尖的半导体应用芯片除了需要优异的IC电路设计外, 更需要完美的纳米组件结构搭配以新世代或先进的半导体工艺技术, 以达到芯片最佳的性能表现。
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04.28
2024
先进晶体管技术与发展趋势
随着传统半导体尺寸的微缩，晶体管的栅极长度(gate length)也逐渐缩小。为了评估半导体芯片制作技术，传统上常使用晶体管的栅极线宽作为指标，因为栅极线宽越小，代表晶体管越小，相同尺寸的芯片就能容纳更多的晶体管，进而意味着功能越多、效能越好。
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02.05
2024
以离子注入研制成长于蓝宝石基板之N型β-Ga2O3 多晶膜及其器件特性之研究
近几年电动车与再生能源的快速发展，市场对功率器件的需求与性能要求不断增加，而Si的能隙(Bandgap, Eg)只有1.12 eV，无法承受大电压，目前在高电压、大功率的功率器件以逐渐采用第三代宽能带半导体碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)所制作之器件，此些材料所制作之器件在功率器件的电压与功率可大幅提升，进而可改善在电动车与再生能源能源应用时之转换效率。
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