3D IC封装：异质接合技术发展及以临场升温原子力显微镜辅助制程设计
在 AI 与高效能运算推动下，3D IC 封装成为芯片效能关键。通过临场升温原子力显微镜（in-situ AFM）观测铜／SiO₂ 镶嵌栓孔热膨胀行为，研究发现纳米晶铜可提升膨胀量逾100%，大幅强化制程窗口与封装可靠度。
氮化镓芯片之静电放电防护技术介绍
氮化镓（GaN）组件在电动车、电源转换、低轨卫星与高频通讯等应用领域的快速普及，其高效能与高功率特性备受瞩目。然而，在这些高应力、高可靠性需求的应用环境中，如何强化静电放电（ESD）防护能力，已成为确保 GaN 芯片稳定运作的关键技术课题。
铜混合接合技术的创新突破：三维积体电路与先进封装的关键技术
3D IC技术的发展如同堆叠「乐高积木」，将具备不同功能的芯片垂直整合，不仅节省空间，更显着提升整体系统效能，为突破摩尔定律带来新可能！然而，要让这些「积木」芯片间能精准对位、稳定通讯、有效散热、不易短路或老化，关键就在于「怎么接起来」。
硅光子技术促进先进高效能计算
面对 AI 与 HPC 系统的巨量运算需求，硅光子技术如何透过光连接技术提升资料中心与芯片间传输速率、降低功耗，为下一代高效能运算架构提供关键路径。
次世代储能技术：先进锂硫电池
锂硫电池（Li-S Battery） 被视为下一代电池技术的重要突破，随着锂离子电池逐渐接近技术极限，锂硫电池凭藉「高能量密度、低成本、环保轻量」等优势，在电动车、航太与无人机、或是需大规模储能的智能电网等领域展现了强大的应用潜力，正迅速成为全球研发焦点！
二维半导体的新战场：硒氧化铋晶体管
随着硅基晶体管微缩逼近物理极限，二维半导体材料如硒氧化铋因其高载流子迁移率、原生氧化层优势与大面积成长潜力，正成为后硅世代晶体管的新候选。
扫描式电子显微镜分析技术的发展 - 以宽能隙半导体的外延缺陷分析为例
本文的讨论主要聚焦于具有六方结构的几种宽能隙半导体，如氮化镓（GaN,Eg=3.4 eV）、氮化铝（AlN, Eg=6.2 eV）、氧化锌（ZnO, Eg=3.3 eV）和碳化硅（4HSiC/6H-SiC, Eg=2.8-3.2 eV）。这些宽能隙半导体，特别是氮化镓、氮化铝和氧化锌，已经广泛应用于表面声波组件、紫外光与蓝光的侦测器、发光二极管和激光二极管。
二次离子质谱仪(SIMS)于集成电路工艺质量监控的分析应用
顶尖的半导体应用芯片除了需要优异的IC电路设计外, 更需要完美的纳米组件结构搭配以新世代或先进的半导体工艺技术, 以达到芯片最佳的性能表现。
