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04.28
2024
先进晶体管技术与发展趋势
随着传统半导体尺寸的微缩，晶体管的栅极长度(gate length)也逐渐缩小。为了评估半导体芯片制作技术，传统上常使用晶体管的栅极线宽作为指标，因为栅极线宽越小，代表晶体管越小，相同尺寸的芯片就能容纳更多的晶体管，进而意味着功能越多、效能越好。
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02.05
2024
以离子注入研制成长于蓝宝石基板之N型β-Ga2O3 多晶膜及其器件特性之研究
近几年电动车与再生能源的快速发展，市场对功率器件的需求与性能要求不断增加，而Si的能隙(Bandgap, Eg)只有1.12 eV，无法承受大电压，目前在高电压、大功率的功率器件以逐渐采用第三代宽能带半导体碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)所制作之器件，此些材料所制作之器件在功率器件的电压与功率可大幅提升，进而可改善在电动车与再生能源能源应用时之转换效率。
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11.22
2023
到平面的世界探险吧---二维材料简介
二维材料系统有许多优异特性已被报导，集感测、存储和处理于一体的 2D 半导体硬件系统未来将颠覆电子应用的架构。现阶段来说，要发展集成电路量产，乃至商业化应用，仍有许多研究工作待完成。
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