先进晶体管技术与发展趋势
随着传统半导体尺寸的微缩,晶体管的栅极长度(gate length)也逐渐缩小。为了评估半导体芯片制作技术,传统上常使用晶体管的栅极线宽作为指标,因为栅极线宽越小,代表晶体管越小,相同尺寸的芯片就能容纳更多的晶体管,进而意味着功能越多、效能越好。
线路修补技术方案与流程
在IC的设计制造流程中,研发后流片(tape-out)的产品需要做功能性的验证,确认是否符合测试的标准,但往往会有性能的差异,甚至是功能上的缺陷,此时就必须进行设计调试(design debug)找出问题点,进行设计的改版,重新生产,这整个流程就形成一个循环,越快找到问题,就能加快产品上市的时间(time to market)。
以离子注入研制成长于蓝宝石基板之N型β-Ga2O3 多晶膜及其器件特性之研究
近几年电动车与再生能源的快速发展,市场对功率器件的需求与性能要求不断增加,而Si的能隙(Bandgap, Eg)只有1.12 eV,无法承受大电压,目前在高电压、大功率的功率器件以逐渐采用第三代宽能带半导体碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)所制作之器件,此些材料所制作之器件在功率器件的电压与功率可大幅提升,进而可改善在电动车与再生能源能源应用时之转换效率。
到平面的世界探险吧---二维材料简介
二维材料系统有许多优异特性已被报导,集感测、存储和处理于一体的 2D 半导体硬件系统未来将颠覆电子应用的架构。现阶段来说,要发展集成电路量产,乃至商业化应用,仍有许多研究工作待完成。
集成电路静电防护与闩锁测试方案规划和失效验证流程
在产品的研发阶段,ESD 與 LU 测试与分析是不可或缺的一环,依循本篇文章的验证流程,可以快速的解决认证方面的问题,若有其它特殊状况,也欢迎联络闳康的专业团队做更深入的解析。