闳康科技举办2026年下半年MAFT技术发表会-携手共创下一世代技术新契机
MAFT技术发表会：晶动未来：从存储器、硅光子到量子计算的下一波技术革命
闳康科技于2026年8月28日在竹科矽导总部大厅隆重举办「MAFT 2026 H2 技术发表会」，吸引超过300位国内外来宾通过现场及线上方式参与，现场交流热烈，充分展现产学界对前瞻技术发展与产业应用的高度关注。
2026下半年度MAFT 技术发表会以「晶动未来：从存储器、硅光子到量子计算的下一波技术革命」为主题，共邀请四位合作教授担任讲师，包括成大材料系刘全璞教授、阳明交大电子研究所洪瑞华教授、清大工科所巫勇贤教授、及阳明交大电子研究所李佩雯教授，演讲内容横跨6G高频通讯、硅光子、超晶格铁电存储器、以及量子计算等先进科技的技术介绍与最新研究进展。
第一场演讲由成功大学刘全璞教授以「6G 时代的先进封装与电磁防护材料」为主题，分享6G高频通讯技术发展与新型封装材料的研究成果。随着6G时代来临，应用频段预计将拓展至30 GHz–3 THz的超高频范围，对于天线级封装（AiP）等小尺寸、高整合度的通讯芯片应用而言，电磁干扰（EMI）将成为重要挑战，不仅会造成讯号损失，也可能影响电子元件的正常运作。因此，因应6G高频应用需求，先进封装材料除了须具备低介电损耗特性外，也必须兼顾EMI屏蔽、散热及ESD防护等多项功能。
第二场演讲由阳明交大洪瑞华教授主讲，以「高速传输与硅光子异质整合技术」为题，分享 AI 时代高速光互连与先进封装的发展趋势。硅光子（Silicon Photonics）结合半导体制程与光电技术，透过在硅基板上整合光波导、调变器及光侦测器等元件，以光讯号取代部分传统电讯号传输，可大幅提升资料传输速度、降低功耗，并实现更高密度的芯片与系统整合。
洪教授指出，随着 AI、机器学习（ML）、高效能运算（HPC）及资料中心快速发展，资料传输量持续攀升，传统电性互连逐渐面临频宽、延迟、功耗及讯号完整性等瓶颈，促使产业加速朝光互连发展。在封装架构上，也从传统插拔式光收发模组进一步演进至共封装光学（CPO），将 PIC、EIC 与光源更紧密地整合，以缩短传输距离、降低功耗并提升整体传输效能。在技术发展方面，硅光子、III-V 材料与异质整合将扮演关键角色，透过不同材料与制程技术的整合，兼顾高速传输、小型化与成本效益；此外，Micro LED、VCSEL 等新兴光互连技术，也可望逐步应用于 Chip-to-Chip、Rack-to-Rack 等不同层级的高速资料传输。
整体而言，硅光子已从单一元件技术，逐步发展为涵盖芯片设计、光电元件、异质整合、先进封装、测试量测及系统应用的完整产业链。洪教授目前亦担任工研院电光所技术长，并于演讲中分享工研院积极建置 III-V 族积体光芯片试制及高速自动化量测平台，目前已具备 224 Gb/s 全晶圆自动化量测能力，并朝 448 Gb/s 迈进，期望进一步降低产业投入门槛，推动建立完整的硅光子与高速光互连产业生态系。演讲内容受到与会者高度关注，现场交流热烈，并透过问答进一步深化产学界对高速光互连及硅光子技术发展的理解。
第三场演讲由清华大学巫勇贤教授，以「从抗辐射挑战到可靠度设计：铁电存储器于未来太空电子的发展契机」为题，分享新世代铁电存储器在太空电子领域的发展与研究成果。随着低轨卫星（LEO）及太空边缘运算快速发展，未来卫星需要在高辐射环境下执行更多即时运算与 AI 任务，因此对于高抗辐射、低功耗、高密度且具非挥发性的新型存储器需求日益提升，尤其需要能够长时间保存模型权重与任务资料的存储器技术。
巫教授指出，传统 Charge-Trap Flash 在太空辐射环境下容易受到总游离剂量（TID）及单一事件效应（SEE）影响，产生电荷逸散及元件退化。虽然铁电场效晶体管（FeFET）具有高速写入、低功耗及非挥发性等优势，但在辐射照射后，铁电层及介面可能产生游离电荷与氧空缺，进而造成铁电畴钉札（Domain Pinning），使记忆视窗（Memory Window, MW）缩小、并导致耐久度下降，成为太空应用的重要挑战。针对上述问题，巫教授进一步分享其研究团队在抗辐射铁电存储器与可靠度设计上的研究突破，包括多项材料、制程与操作技术的整合。其中，团队采用 HAO/HZO/HAO 混合型铁电结构，以 HZO 提供较大的记忆视窗，并利用 HAO 较低的矫顽电场与自发极化特性降低介面电场应力，在记忆视窗、操作电压及耐久度之间取得良好平衡。
在制程方面，其导入低热预算微波退火（MWA），促进铁电相形成，同时降低初始氧空缺与漏电流，以减缓辐射诱发缺陷的累积；此外，透过氨电浆介面处理与氮钝化技术，改善介面品质、修复悬键（Dangling Bonds），并抑制界面电荷捕获。除了材料与制程改善外，团队亦发展单极性／双极性电性脉冲操作策略，透过电荷去捕获（De-trapping）机制，协助修复因深陷阱造成的记忆视窗衰退，使元件在经历辐射或长时间操作后仍能维持稳定的记忆特性，进一步延长太空电子元件的使用寿命。
巫教授的研究展现了从材料设计、制程优化、元件操作与可靠度提升等的完整技术布局，为高抗辐射、低功耗及大记忆视窗铁电存储器在未来太空电子与边缘 AI 运算的应用提供重要技术基础。演讲结束后，与会者亦针对抗辐射存储器的材料设计、可靠度及实际太空应用等议题踊跃交流，现场互动热烈。
第四场演讲由阳明交大李佩雯教授，以「Material Defined Germanium Quantum-dots for High Performance Quantum Computing」为题，分享团队在锗（Ge）量子点量子位元与电荷侦测技术上的最新研究成果。随着人工智能与次世代量子计算快速发展，对运算效能与能源效率的需求持续提升。传统闸极定义量子点（Gate-defined QDs）主要采用平面式架构，当量子位元数量持续扩充时，将面临电极布局复杂及难以实现三维堆叠等挑战。针对此问题，李教授分享其研究团队多年来利用CMOS 相容制程，开发可扩充、可垂直堆叠的锗量子点量子位元及电荷侦测器，为硅基半导体量子计算提供新的技术发展方向。
在技术亮点方面，团队首先透过波浪条纹布局设计，搭配 Bosch 蚀刻技术形成具有周期性侧壁波浪凹槽，再利用热氧化 SiGe 薄膜过程所产生的高应力，使锗原子于凹槽位置析出、并形成球状量子点，进而实现有序且可控制的三维垂直堆叠结构。此外，团队进一步开发垂直堆叠锗双量子点与自我对准电极，可借由控制量子点尺寸及间距，调整量子点之间的耦合强度，并透过源极、汲极及闸极电极对量子点进行精准操控。在量子位元读取方面，其团队也开发单量子点晶体管电荷侦测器，整合单电子/电洞晶体管与硅纳米线晶体管，并透过调整硅纳米线晶体管的操作区间，放大穿隧电流，以提升电荷侦测的讯杂比（SNR）及量子位元读取保真度。
李教授于演讲中特别感谢闳康科技在材料分析（MA）与失效分析（FA）方面提供的专业协助。相关分析工作涵盖样品制备、TEM、FIB、EDS、NBD，以及三维量子点分布 Tomography 等多项技术，协助研究团队深入掌握量子点的晶体结构、尺寸与形貌、元素组成、介面特性及三维分布，为研究成果提供重要的材料与结构分析依据，也充分展现产学合作在前瞻半导体与量子运算研究上的重要价值。演讲结束后，与会者踊跃参与问答与技术交流，针对相关研究成果与未来应用展开热烈讨论，现场互动气氛十分热络。
综合前述四场专题演讲，可以从6G高频通讯、硅光子、太空电子到量子计算，清楚看见下一世代半导体技术正朝向高频化、高速化、低功耗与高可靠度快速发展，也凸显材料、元件、制程、封装与分析量测技术彼此整合的重要性。此次MAFT技术发表会透过不同前瞻技术的分享，串联学术研究与产业需求，进一步探索研究成果商品化与实际应用的可能性。
感谢所有讲者带来精彩且专业的技术分享，也感谢与会贵宾的热情参与及交流。期待与各位在2027 MAFT再次相会，持续携手探索下一世代科技的无限可能！
