SEM-based Nano-probing
在高效能运算与 AI 芯片快速发展下，半导体制程正式进入后摩尔时代。制程节点已由 7nm 进入 5nm，并朝向 3nm 与 2nm 推进；元件结构亦从平面式 MOSFET 演进为 FinFET 与 GAA 等三维结构。
在此纳米尺度下，传统 AFM-based nano-probing 已难以满足高解析定位与稳定电性量测需求，SEM-based Nano-probing（扫描式电子显微镜纳米探针技术） 成为先进制程单一元件量测与失效分析的核心工具。
SEM-based Nano-probing 可于 SEM 真空环境下，以 低加速电压电子束 搭配纳米探针进行，已成功应用于 5nm FinFET 制程节点。
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高解析度形貌观察
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单一晶体管 I-V / C-V 量测
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漏电与短路定位
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RC 延迟分析
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EBIC / EBAC / EBIRCH 失效判读
SEM-based Nano-probing 是将 扫描式电子显微镜（Scanning Electron Microscope, SEM） 与纳米级机械探针系统整合于同一真空环境中，使工程师能在高解析度成像条件下，同步进行单一晶体管电性量测与缺陷定位。
在 SEM 平台上，除基本电性量测外，亦可进行电子束诱发分析。当电子束撞击样品时所产生的电子电洞对，可形成可量测电流讯号，进而定位闸极氧化层崩溃、接面漏电或金属开路与短路等缺陷。透过 EBIC、EBAC 与 EBIRCH 技术交叉比对，可将不同类型失效加以区分，提升判读准确度。
在 5nm 以下先进制程中，单一技术已无法完整判断失效根因。闳康科技以「跨技术整合」为核心优势，将 SEM-based Nano-probing 纳入完整失效分析流程中，而非单点式量测。
闳康科技将 SEM-based Nano-probing 纳入完整失效分析流程中，而非单一量测技术。当纳米探针定位出可疑区域后，可无缝衔接 AFM-based Nano-probing、C-AFM、OBIRCH、Thermal EMMI、FIB 精准制样与 TEM 结构验证，形成 Electrical FA 与 Physical FA 的整合平台。
在 5nm 及以下节点，单一技术已难以解决复杂失效问题。透过跨技术交叉验证与专业判读经验，闳康科技能有效缩短定位时间，提高根因判定成功率，并降低重工与误判风险。
nProber IV 第四代 SEM-based NanoProber 系统整合高解析 SEM 与纳米探针量测平台，可于真空环境下进行单一晶体管电性量测与精准失效定位，是先进制程纳米电性分析的核心设备。
