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LED Failure Analysis

LED 失效分析

在 LED 元件的研发与量产过程中,若产品出现亮度衰退、电性异常或提前失效等问题,往往需要透过系统化的失效分析流程,找出真正的问题来源。LED 失效可能来自芯片结构缺陷、封装制程异常、材料劣化或静电损伤等因素,因此需结合多种电性量测与定位技术,才能精准判读失效机制。

 

故障定位

 

透过光子放射或电性定位技术,可快速锁定 LED 元件中的异常区域,协助分析短路、漏电或制程缺陷位置,并作为后续结构分析与失效判读的重要依据。

 

热显像、红外线微光显微镜、雷射光束电阻异常侦测

 

EMMI/InGaAs,OBIRCH 缺陷侦测定位

LED-7

 

EMMI/InGaAs,OBIRCH 于故障分析应用

LED-8

线上报名
01.01
1970
本次 MAFT 研讨会以「创新器件 & 封装」为核心主题,邀请专家学者们,聚焦超晶格铁电存储器、硅光子、6G高频EMI封装与量子计算等前瞻议题,带领与会者深入掌握下一世代半导体技术发展脉络。
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