晶圆与芯片层级分析

在光电与半导体元件的制造过程中，晶圆（Wafer）与芯片（Chip）阶段的材料品质与结构设计，将直接影响元件性能、发光效率与产品可靠度。特别是在 LED、光电元件与先进半导体制程中，磊晶结构、多重量子井（MQW）、薄膜厚度与掺杂分布等关键因素，皆需透过高解析度分析技术进行精密检测与评估。

闳康科技提供完整的晶圆与芯片层级分析服务，透过电子显微镜、材料分析与元素深度剖面技术，深入解析元件的结构与材料组成。透过 TEM、SEM、EDX、SIMS 等先进分析工具，可观察 LED 磊晶层结构、晶体缺陷与元素分布情形，协助客户评估材料品质、釐清制程异常并优化制造流程。

在产品研发与制程优化过程中，晶圆与芯片层级的精密分析可有效提升元件品质与良率，并为光电与显示技术产品提供更可靠的制程验证与品质控管基础。

LED 晶片结构与磊晶层分析

透过 X-ray、SEM、TEM 与 HAADF 等多尺度分析技术，可观察 LED 晶片中的磊晶结构、多重量子井（MQW）与晶体缺陷，并评估元件制程品质与材料特性。

(a)X-ray image；(b)SEM image；(c)TEM image；(d)TEM image ；(e)TEM image；(f)HAADF image；(g)Optical Profile

LED 元件结构与掺杂深度分析