PEM-CCD
PEM-CCD（Photon Emission Microscopy with CCD detector），亦称为 EMMI（Emission Microscopy），是一种广泛应用于非破坏性亮点定位技术，其原理为在 IC 通电操作下，侦测因电子–电洞复合或热载子效应所释放出的微弱光子，藉此定位芯片内部的异常或失效位置，协助工程师判断是否需进一步采用 InGaAs-PEM、电性量测或破坏性分析手段，提升整体 FA 流程的效率与成功率。
PEM-CCD 采用冷却式电荷耦合元件（Cooled CCD, C-CCD）作为光子侦测器，可侦测的波长范围约为 400 nm 至 1100 nm，涵盖可见光与部分近红外光区域，因此长期以来一直是 IC 故障点初步定位的标准工具。
PEM-CCD（EMMI）结合成熟的光子发射分析技术与闳康科技的失效分析经验，为 IC 故障定位提供稳定、可靠且高效率的解决方案。当半导体元件发生异常时，可能因以下机制产生光子发射现象：
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电子–电洞复合（Electron-Hole Recombination）
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热载子效应（Hot Carrier Emission）
这些光子会集中于异常或失效区域，形成可被 PEM-CCD 侦测到的亮点（Hot Spot），透过亮点的位置、分布与强度分析，可协助工程师快速缩小失效范围，作为后续电路分析、电性验证与物性分析的重要依据。
上图为 EMMI 光子发射分析示意图。当 IC 在异常操作或失效状态下，电子–电洞复合或热载子效应会释放光子，经 CCD 侦测器收集并成像。
下图为实际分析结果范例，亮点位置对应芯片内部的漏电、短路或异常导通区域，可作为后续电路分析与物性分析之定位依据。
在实务应用上，PEM-CCD 特别适用于会产生明显光子发射的失效情境，透过亮点定位，可有效提升失效分析效率并降低不必要的破坏性分析风险。
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P-N 接面漏电或崩溃
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因开路或短路导致误动作的晶体管
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闩锁效应（Latch-up）
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闸极氧化层漏电或崩溃
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多晶硅残留造成的异常导通
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硅基板损伤
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过电流造成的局部烧毁元件
需特别注意的是，并非所有 EMMI 亮点皆代表实际失效。部分正常操作条件下亦可能产生光子，例如：浮接（Floating）状态的闸极、操作于饱和区的 BJT 或 MOSFET、顺向偏压的二极体。因此，PEM-CCD 的分析结果通常需搭配电性量测与电路行为一併判读，以避免误判。
由于 PEM-CCD 属于光子发射分析技术，在以下情况下侦测能力可能受限，在此类案例中，通常需搭配 PEM-InGaAs、OBIRCH、LVP 或其他进阶 FA 技术 进行交叉分析。
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发光位置被上层金属或介电层遮蔽
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深层或埋入式接面缺陷
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大面积金属线下方的漏电位置
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电阻性短路或桥接
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表面或硅内部导通路径
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漏电电流极小（低于约 0.1 µA）
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深厚的失效分析经验：长期服务先进制程、车用、工业与高可靠度 IC，能快速判断亮点属性，避免误判假缺陷。
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完整的 FA 技术整合能力：PEM-CCD 可与 InGaAs-PEM、电性量测、FIB 修补、结构与材料分析无缝衔接，提升分析成功率。
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专业的测试规划与条件设定：依元件特性调整偏压、积分时间与量测策略，使微弱亮点亦能稳定呈现。
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一站式失效分析服务（One-Stop Service）：从初步定位、深入分析到根因判定，由同一团队整合执行，缩短专案时程。
