球面像差修正扫描穿透式电子显微镜(Cs-STEM)
球面像差修正扫描穿透式电子显微镜(Cs-STEM)
先进制程需要超次埃尺寸(1埃=0.1nm)检测分析
目前全球领先的芯片制造商，都正积极推进量产2纳米（nm）以下的制程技术，并且瞄准埃（1Å = 0.1nm）尺寸的制程节点。随着晶体管的尺寸缩小，传统的硅基材料也面临物理极限，因此业界开始探索新材料，如2D材料（如石墨烯、过渡金属二硫族化合物）、纳米线（Nanowires） 、GAA（Gate-All-Around，环绕式闸极）、纳米片（Nanosheet）与堆叠式异质结构（Heterostructures），以突破摩尔定律的瓶颈。然而，当元件尺寸进入次埃尺寸级时，材料内部的原子排列、界面缺陷、掺杂分布等细节，都会对元件性能产生显著影响。因此，如何在埃米级尺度下准确分析材料的结构与组成，成为半导体技术发展的重要课题。
球面像差修正扫描穿透式电子显微镜 (Spherical Aberration Corrected Scanning Transmission Electron Microscope, Cs-STEM)是因应新材料进展的分析设备。使用球面像差修正的 TEM，可以提高机台的空间解析度，达到次埃尺寸观察的目的。TEM 搭配扫描 (Scanning) 功能，即称为扫描穿透式电子显微镜 (Scanning Transmission Electron Microscope, STEM)。STEM 搭配 X 射线能量散布分析仪 (Energy-Dispersive X-ray Spectroscopy, EDS) 及 EELS，可以实现高空间解析度的成份分析。
* 1微米(μm)=1000纳米(nm)=10000埃(Å)
