IC制造属半导体产业链中游，是将设计好的电路蓝图，透过高精密物理与化学技术制作在硅晶圆上的核心制程。其基本流程包含晶圆准备与氧化、透过光罩(Mask)进行光刻转印、电浆蚀刻(Plasma cleaning)及湿式蚀刻(Wet Etchin)去除多余材料、沉积薄膜、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD) 、ALD(Atomic Layer Deposition,原子层沉积) 、离子布植（Ion Implantation）或掺杂（Doping）改变元件导电性、双镶嵌镀铜（Copper Dual-Damascene Electroplating）、 CMP(Chemical-Mechanical Planarization,化学机械平坦化)磨平表面。此过程犹如纳米级3D列印，于无尘室中重复步骤以实现复杂电路结构。