技术原理
展阻分析（Spreading Resistance Profiling, SRP）是半导体材料分析中常用的电性量测技术，可量测接面深度、电阻率及有效载子浓度的纵深分布，广泛应用于离子布植与制程监控分析。
SRP 的量测原理是利用两个微探针接触样品表面并施加微小电压，量测探针之间的电阻值，并透过计算转换得到材料的电阻率与载子浓度分布，在分析前，试片会先固定于具有微小倾斜角度的基座上，并使用钻石研磨膏进行精密研磨，使半导体接面逐渐暴露形成斜切面，随着探针沿着研磨表面逐点量测，即可得到材料深度方向的电阻率与载子浓度分布，进而分析半导体元件的接面特性，SRP常与SIMS等材料分析技术搭配使用，以同时取得元素浓度与电性分布资讯。
分析应用
制程监控分析
可应用于离子布植与退火制程的电性特性监控与制程优化。
深接面浓度分佈分析
快速取得深接面结构中的载子浓度分布。
接面深度分析
精确量测半导体元件的P-N接面深度（Junction Depth）。
有效载子浓度纵深分析
量测半导体材料中有效载子浓度（Carrier Concentration）随深度的分布情形。
机台种类
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SRP 量测原理示意图
半导体试片经过精密研磨形成斜切面（Bevel Surface），使 P-N 接面（PN Junction） 能够沿表面方向展开。两个微探针接触研磨表面并施加微小电压，量测探针间的电阻值，藉由电阻讯号可计算出材料的电阻率与载子浓度分布。 -
SSM 2000
展阻分析仪透过高精度探针系统与量测控制软体，可对研磨表面进行逐点量测，建立半导体材料的接面深度（Junction Depth）、电阻率（Resistivity）与有效载子浓度（Carrier Concentration）之纵深分布。 -
SSM 2100
展阻分析仪透过高精度探针系统与量测控制软体，可对研磨表面进行逐点量测，建立半导体材料的接面深度（Junction Depth）、电阻率（Resistivity）与有效载子浓度（Carrier Concentration）之纵深分布。
应用实例
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SRP 样品研磨面
半导体试片经研磨形成斜切面（Bevel Surface），使元件结构与材料接面沿着表面展开。透过展阻分析仪的微探针沿研磨表面逐点量测电阻值，可取得材料不同深度位置的电性资讯。 -
SRP 量测结果曲线
量测得到的电阻讯号经计算后，可转换为材料的电阻率（Resistivity）、电阻值（Resistance）及有效载子浓度（Carrier Concentration）分布。
藉由分析曲线变化，可判断半导体材料的掺杂浓度分布与P-N接面深度（Junction Depth），常用于离子布植制程与制程监控分析。。
SRP 载子浓度与电阻率纵深分布
此图为 展阻分析（Spreading Resistance Profiling, SRP）量测结果示意。
横轴为材料深度（Depth），纵轴为量测与计算得到的电性参数，包括：
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Carrier Density（载子浓度）
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Resistance（电阻值）
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Resistivity（电阻率）
图中可清楚辨识出 P区、N型外延层（N EPI）与P型基板（P Substrate） 的结构差异，并可由曲线变化判断 P-N接面位置与接面深度。
此分析技术常用于：
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半导体 掺杂浓度分布分析
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接面深度（Junction Depth）量测
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外延层（EPI）品质分析
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离子布植与退火制程监控
