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Electrical & Doping Analysis
电性与掺杂分析

当元件发生漏电、短路或功能失效时,问题往往来自于内部的电性分佈异常,透过高解析电性分析技术,可深入解析半导体元件中的载子分佈、掺杂浓度与PN接面结构,有效定位电性失效根因。

  • 应用场景

    • PN junction 结构分析
    • 掺杂浓度分佈与深度剖面分析
    • 电性异常(Leakage / Short)定位
    • 制程偏差与元件失效解析
  • 核心价值

    • 高解析电性分佈量测能力
    • 可与 FA(失效分析)技术整合应用
    • 大幅提升失效定位效率与成功率
Service Examples
服务项目

SRP 展阻分析仪

SCM 扫描式电容显微镜

线上报名
01.01
1970
本次 MAFT 研讨会以「创新器件 & 封装」为核心主题,邀请专家学者们,聚焦超晶格铁电存储器、硅光子、6G高频EMI封装与量子计算等前瞻议题,带领与会者深入掌握下一世代半导体技术发展脉络。
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