CP 离子研磨

离子研磨系统通常利用 电感耦合 RF 源或微波源 产生等离子体，在系统运作过程中：

1. 氩气（Ar）被导入等离子腔体。

2. 高能电子与氩原子碰撞产生大量 正氩离子（Ar⁺）。

3. 电极系统将这些氩离子加速形成高能离子束。

4. 离子束轰击样品表面，使材料逐渐被移除。

透过精确控制 离子能量、入射角度与加工时间，可制备出平整且无机械损伤的截面，完成研磨后，再利用 光学显微镜（OM）或扫描式电子显微镜（SEM） 进行观察与分析。

 

截面研磨（Cross-section Milling）

为了对样品内部构造进行观察与分析，必须让样品内部结构完整显露。若仅使用切割与机械研磨，往往会因材料应力而产生变形或损伤，使 SEM 难以获得理想影像，透过 离子束轰击加工，可制备出低应力且高平整度的截面，使 SEM 能清楚观察样品内部结构。

• 半导体多层金属结构

• 介电层厚度

• 焊点界面

• 材料界面缺陷

• 异物或污染物

 

平面研磨（Flat Milling）

在 SEM 表面观察与分析中，通常需要 大面积且平整的样品表面，Flat milling 透过离子束均匀移除样品表层材料，常用于 表面分析或机械研磨后的后处理制程。

• 去除机械研磨造成的损伤层

• 平整样品表面

• 提供更大观察区域

• 提升 SEM 影像品质

闳康科技具备完整的 离子研磨与电子显微分析整合能力，可提供高品质样品制备与精确材料分析。

• 高品质截面制备能力：可制备低应力、低损伤且高平整度的样品截面。
• 适用多种材料系统：适用于半导体、PCB、封装材料、LED 与金属材料分析。
• 大面积样品加工能力：可制备大面积观察区域，适合结构分析与制程诊断。
• 跨技术整合分析能力：可结合 SEM、EDS、EBSD、FIB、TEM 等分析技术，提供完整材料分析解决方案。

FFC 异常样品分析

FFC（Flexible Flat Cable）异常样品经机械研磨后，再透过离子研磨（Ion Milling）进行截面修整，可有效避免传统研磨过程中产生的材料拉扯（material smearing）与研磨碎屑回填（debris redeposition）问题，经离子束加工后，样品截面更加平整且界面清晰，使异常区域与材料结构能够被更准确地观察与判读，有助于后续的缺陷定位与失效分析。

感光元件（CCD / CMOS）截面分析

CCD 与 CMOS 感光元件具有多层薄膜结构与精细微结构，其材料界面与电路结构较为脆弱，若仅使用化学机械研磨（CMP）进行样品制备，容易因机械应力造成结构变形或破坏，透过离子研磨（Ion Milling）技术，以高能氩离子束对样品进行精密加工，可有效降低研磨应力并避免材料拉扯，使多层结构与关键尺寸能够完整保留，进而提升 SEM 观察与结构分析的准确性。

LED 蓝宝石基板材料分析

部分 LED 元件采用蓝宝石（Sapphire）晶圆作为基板材料，由于蓝宝石具有高硬度与高机械强度，若仅使用化学机械研磨（CMP）进行样品制备，容易产生层差（step height difference）或界面不平整的情况，透过离子研磨（Ion Milling）技术，以高能氩离子束对样品进行精密截面加工，可有效改善不同材料间的研磨速率差异，使多层结构界面更加平整并清晰呈现，进而提升 SEM 结构观察与材料分析的品质。

铜晶粒（Cu Grain）微结构观察

样品经离子研磨（Ion Milling）处理后，可有效去除机械研磨所造成的表面损伤层，使材料内部微观组织得以清楚呈现，在扫描式电子显微镜（SEM）观察下，可清晰辨识铜材料的晶粒（Cu grain）结构与晶界分布，有助于进行材料微结构分析与制程品质评估。

一二焊点结构之离子研磨截面影像

透过离子研磨（Ion Milling）制备之截面样品，可清楚呈现封装元件中的 第一焊点（1st bond）与第二焊点（2nd bond） 结构。藉由精准控制离子束能量与研磨角度，可在不产生机械应力损伤的情况下制备大面积且平整的截面，使焊线接合界面、金属垫（bond pad）以及封装材料之界面结构能够清楚显示，进而利于焊点品质评估与失效分析。