AES 欧杰电子能谱仪
欧杰电子能谱分析（Auger Electron Spectroscopy, AES）是一种高解析度的表面元素分析技术，可用于分析材料表面极薄层的元素组成与化学状态。
闳康科技配置 JEOL JAMP-9500F 场发射式扫描欧杰电子能谱分析仪（FE-AES），搭载半球型能量分析器（Hemispherical Energy Analyzer, HSA），可提供高达 0.05% 的电子能量解析度，系统同时具备高解析度扫描电子显微镜功能，影像解析度可达 3 nm，而 Auger Mapping 空间解析度可达约 8 nm。
AES利用高能电子束轰击样品表面，使原子内层电子被激发并产生欧杰电子（Auger Electron），由于不同元素所产生的欧杰电子具有特定能量，因此可透过能量分析器判断材料的元素种类与分布，AES对表面具有极高敏感度，通常可分析材料表面约 5–8 nm 深度范围的元素资讯，适合用于表面污染分析、薄膜界面分析与材料研究。
此外，AES可搭配离子蚀刻进行纵深分析，以观察多层薄膜之间的元素分布与扩散情形，透过资料库比对，亦可进行化学态分析，特别适用于过渡金属元素及多种化学态共存的材料系统。
场发射式欧杰电子能谱分析仪
可提供奈米尺度的高解析表面元素分析能力，该系统结合高解析扫描电子显微镜（SEM）与欧杰电子能谱分析技术，可同时进行表面形貌观察与元素分析。
JAMP-9500F 採用半球型能量分析器与高亮度场发射电子枪，可提供高能量解析度与极佳的空间解析能力，此设备特别适用于奈米尺度的表面元素分析、污染分析与薄膜界面研究：
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SEM 影像解析度可达约 3 nm
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Auger Mapping 解析度可达约 8 nm
常见应用包括：表面污染与残留物分析、薄膜与多层结构元素分布分析、表面氧化层与界面分析、奈米尺度元素 Mapping、半导体制程与材料失效分析，透过高解析度的表面分析能力，FE-AES 可提供材料表面约 5–8 nm 深度范围的元素与化学资讯，是分析奈米级材料与微电子元件的重要工具。
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(a) Al pad纵深分析能谱
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(b) Al pad表面分析能谱
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(c) 氧化铁的化学态分析
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(d) 导通孔(TSV) AES mapping
