IC 去封胶（IC Decap）是透过特定技术将积体电路（Integrated Circuit, IC）封装中的 环氧树脂封胶（Epoxy molding compound） 去除，使晶粒（Die）、金线（Bond wire）与封装内部结构裸露的样品制备技术，常应用于 失效分析（Failure Analysis, FA）、封装可靠度检测与电路逆向工程（Reverse Engineering） 等领域。

在封装 IC 中，封装树脂的主要功能是保护晶粒免受外部环境影响并提供机械强度，然而当需要分析元件内部结构或定位故障位置时，封装材料会阻碍显微观察，因此必须先进行去封胶处理，使晶粒与内部连接结构暴露，以利后续分析，透过 IC 去封胶后，工程师即可利用各种显微分析技术对元件内部结构进行观察，例如：

• 光学显微镜（Optical Microscope, OM）

• 扫描式电子显微镜（Scanning Electron Microscope, SEM）

• 聚焦离子束分析（Focused Ion Beam, FIB）

• 穿透式电子显微镜（Transmission Electron Microscope, TEM）

目前常见的 IC 去封胶方法主要包括 化学蚀刻去封胶（Chemical Decapsulation） 与 雷射去封胶（Laser Decapsulation），不同技术各有其适用情境与优势，工程师通常会依据封装材料种类、分析需求与元件结构选择最适合的去封装方式，透过适当的去封胶技术，不仅能完整保留晶粒与金线结构，也能有效提升后续 失效分析、封装结构检测与电路解析 的准确性。