IC 拍照与产品结构解析
还原芯片设计，从「看见」到「理解」
透过层次去除技术（Delayer）逐层还原 IC 结构，搭配光学显微镜（OM）与电子显微镜（SEM）进行高解析影像撷取，并透过自动拼接与影像对位技术，建立完整的电路版图与层间关联，透过系统化还原，不仅能「看到」结构，更能「理解」设计思维与制程策略。
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多层金属结构（M1～M6）与导线配置
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Poly / Active / Via 等关键结构
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层厚、材料分布与制程特徵
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电路连接关系与设计逻辑
技术原理
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透过精准的去层次制程（Delayer），逐层移除金属与介电层结构，避免过度蚀刻或损伤关键特徵
- 再透过高解析显微影像（OM / SEM）进行连续拍摄与拼接，建立完整影像资料库
- 最后透过电路重建与分析技术，将影像转换为可解析的电路架构，协助客户进行电路提取（Circuit Extraction），大幅缩短设计分析时间，并提升解析精度。
竞争产品分析的价值，不仅在于技术解析，更在于支持企业决策。透过完整的 IC 拍照与结构分析，闳康科技可协助客户将分析结果直接转化为研发策略与市场竞争优势。
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评估新产品技术发展方向与可行性
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进行设计除错与问题定位
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建立成本结构与制程评估模型
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分析竞品设计差异与技术优势
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支持专利条文解析与侵权风险评估
透过去层次技术，闳康科技可完整解析多层金属结构与复晶硅层，并针对铜镶嵌（Copper Damascene）制程进行细部观察。此类分析可揭示制程设计规则、层间关系与材料选用策略，为制程优化与技术比较提供依据。
实际案例
Sony Xperia Z Ultra 逆向分析
以 Sony Xperia Z Ultra 为例，透过系统性拆解与分析，可完整掌握其核心架构与关键技术，透过此类 Benchmark 分析，客户可快速掌握市场主流技术方向，并作为产品开发与技术布局的重要参考。
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采用 Qualcomm Snapdragon 800 四核心处理器
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搭配 ELPIDA 2GB LPDDR3 记忆体（PoP 封装）
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制程采用 28nm HKMG 技术
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强调高效能与低功耗设计
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（a）Die Mark：用于辨识芯片来源与制程资讯
（b）PMOS 结构：呈现晶体管通道与闸极设计特征
