HRXRD 高解析X光绕射分析仪
高解析 X 光绕射分析仪（HRXRD）利用 X 光照射晶体材料时所产生的布拉格绕射（Bragg Diffraction）现象，透过分析绕射角度与强度分布，可获得材料的晶体结构与结晶特性，闳康科技配置 Bruker D8 Discover HRXRD 系统，为多功能高解析 X 光绕射平台，系统除具备基本的粉末绕射（Powder XRD）与低掠角薄膜绕射（GID）分析功能外，亦搭载 三晶（Triple-Crystal）高解析分析器，可进行单晶薄膜的高精度结晶性分析与化合物组成分析。
此外，系统可进行倒晶格空间映射（Reciprocal Space Mapping, RSM）分析，用于研究磊晶薄膜的晶格排列与应变状态，评估磊晶层是否受到压缩或拉伸，在薄膜材料分析方面，HRXRD 亦可搭配 X 光反射分析（X-ray Reflectivity, XRR）技术，量测多层或单层薄膜的薄膜厚度、介面粗糙度、电子密度。XRR深度解析度约200nm，是用厚度量测范围为5-200nm，且表面粗糙度通常需小于 5 nm，即使为非晶质薄膜亦可进行分析。
Bruker D8 Discover (HRXRD)
闳康科技配置 Bruker D8 Discover 高解析 X 光绕射分析仪（HRXRD），可进行晶体结构、薄膜结晶品质及材料相分析。该系统具备高解析度光学模组与多轴量测平台，适用于半导体磊晶、薄膜材料与晶体结构研究。
D8 Discover 可透过 高解析绕射、低掠角绕射（GID）及倒晶格空间映射（RSM） 等量测模式，分析薄膜与基板之间的晶格关系、应变状态与结晶品质。此外，系统亦可搭配 X-ray Reflectivity（XRR） 进行薄膜厚度、界面粗糙度与密度量测。
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非破坏性量测
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可分析12英寸的样品
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可在大气环境下操作
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块材、薄膜或粉末皆可
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超薄镀膜(< 5nm)及二维材料
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面内掠角绕射 (In-Plane Grazing Incidence Diffraction, IP-GID)
HRXRD / XRD 分析结果图
材料在不同绕射角度下的绕射强度分布，分析材料的晶体结构与结晶特性。横轴为 2θ（2-Theta）绕射角度，代表 X 光与晶体晶面产生绕射时的角度位置；纵轴为 绕射强度（Intensity / Counts），表示该角度下的绕射讯号强度。当 X 光照射到晶体材料时，不同晶面会在特定角度产生绕射峰（diffraction peaks）。图中标示的 (hkl) 指数（如 (222)、(440) 等）代表对应的晶体晶面方向。透过这些绕射峰的位置与强度，可以判断材料的晶体结构与相组成。
图中亦标示 FWHM（Full Width at Half Maximum），即绕射峰的半高宽。FWHM 可用来评估材料的结晶品质与晶粒尺寸，通常峰值越窄代表结晶品质越好、晶粒尺寸越大。此外，图中标示的 d 值（晶面间距） 则表示对应晶面的晶格间距，可用于分析材料的晶格常数、应变状态或组成变化。
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(a) GaN磊晶层厚度与组成分析
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(b) GaN磊晶层RSM分析
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(c) SiGe磊晶高解析光谱
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(d) XRR分析HfOx薄膜厚度、密度与粗糙度
