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功率元件可靠度试验

Power Device Reliability Test

由于智能车 (ADAS: Advanced Driver Assistance System) 的发展趋势造就了汽车电子的市场蓬勃发展。然而在环保意识抬头下,也造就了电动车慢慢取代了燃油车,车辆产业从燃油车转变成电动车生产已然成为世界趋势。在电动车特性下电源供应俨然成为整个汽车设计核心。所以电动车控制板上的高功率元件就占有举足轻重的角色,而高功率元件最具代表性就是最近常谈IGBTMOSFET元件。

 

功率元件可靠度试验(Component Level Reliability Service),是用来验证功率半导体元件在长时间、高应力操作条件下,其电性、结构与材料是否能维持稳定与安全运作的一系列测试流程,试验主要针对 IGBT、MOSFET 等高功率元件,模拟其在实际应用中可能遭遇的高温、高湿、高电压、高电流、频繁切换与机械应力等严苛环境,藉此提早找出潜在失效风险。

 

在电动车与车用电子系统中,电源供应、功率转换与能量管理模组需长时间承受高电压、高电流、高温与频繁开关操作,其设计核心仰赖 IGBT 与 MOSFET 等功率元件的稳定运作。一旦功率元件发生失效,轻则造成系统降额(Derating),重则导致整车功能异常甚至安全风,因此功率元件可靠度试验 已成为车用电子、工业电源与高功率应用中不可或缺的验证流程。闳康科技以完整的环境应力、寿命模拟与电性验证能力,协助客户在产品开发与量产前,即可全面掌握功率元件的可靠度表现与失效风险,为车用与高功率应用打造更安全、更稳定的解决方案。

 

功率元件可靠度验证主要有三个领域,包含环境应力试验、加速寿命模拟试验、电性验证等领域。闳康科技提供了全方位的功率器件验证服务,验证服务内容如下:

功率元件可靠度验证的整体架构
环境应力试验(Environmental Stress Test)

环境应力试验主要用来模拟功率元件在制造、封装、运输与实际操作环境中,可能遭遇的温度、湿度与机械应力条件,透过加速方式,提早暴露材料、封装或结构上的潜在弱点,可有效评估功率元件在严苛车用与工业环境中的结构稳定性,常见测试项目包括:

  • 前处理试验(Preconditioning, PC):模拟回焊与湿气暴露条件

  • 高加速温湿度试验(Autoclave, AC / UHAST):评估封装耐湿与界面可靠度

  • 温度循环试验(Temperature Cycling, TC):验证焊点与材料热疲劳行为

  • 端子强度试验(Terminal Strength, TS):确认端子与封装机械强度

  • 焊锡耐热试验(Resistance to Solder Heat, RSH)

  • 热阻测试(Thermal Resistance, TR):评估功率元件散热效率

  • 沾锡性试验(Solderability, SD)

  • 锡须成长评估(Whisker Growth Evaluation, WG)

  • 恒加速试验(Constant Acceleration, CA)

  • 变频振动试验(Vibration Variable Frequency, VVF)

  • 机械冲击试验(Mechanical Shock, MS)

 

加速寿命模拟试验(Accelerated Lifetime Test)

加速寿命试验是功率元件可靠度验证的核心项目之一,适用于 IGBT、MOSFET 在逆变器、车载电源模组等高功率应用情,透过 高温、高湿与偏压条件,模拟元件在长时间操作下的老化与失效行为,闳康科技可依据元件特性与应用情境,规划合适的寿命试验条件,常见项目包含:

  • 高温高湿逆向偏压试验(H3TRB):评估湿气与电场交互作用造成的劣化

  • 间歇操作寿命试验(Intermittent Operational Life, IOL)

  • 电源温度循环试验(Power Temperature Cycling):模拟实际通断负载情境

  • 高温反向偏压试验(HTRB):评估结构与接面长期耐压能力

  • 高温闸极偏压试验(HTGB):确认闸极氧化层与介电可靠度

  • 功率循环试验(Power Cycling, PCsec / PCmin):模拟反复功率切换与热应力累积效应

 

电性验证(Electrical Verification)

电性验证用以确认功率元件在试验前后之电性参数稳定性,并搭配特殊电性测试评估其耐受极限与失效模式,包含:

  • 试验前后电性测试(Pre- / Post-Stress Electrical Test)

    • MOSFET:BVDSS、IDSS、IGSS、RDS(ON)、Gfs(如适用)、VGS(th) / VGS(OFF)

    • IGBT:BVCES、ICES、IGES、VCE(SAT)、hFE、VGE(th)

  • 进阶电性与可靠度验证

    • 参数验证(Parametric Verification, PV)

    • 静电放电测试:HBM / CDM

    • 雪崩耐受测试(Unclamped Inductive Switching, UIS)

    • 短路特性测试(Short Circuit Characterization, SC)

    • 介电完整性测试(Dielectric Integrity, DI)

 

 

设备能力

MCC HPB6

MCC HPB6

  • Handle devices up to 1000 watts
  • Water-cooled and high-force for individual temperature  control per device
  • 16 independent board slots
  • 128 digital I/O channels + 128 output-only channel
  • 24 high-power individually programable power supplies 

       (250W, 175A, 0.3V to 1.8V) per board

  • 24 low-power individually programable power supplies

       (60W, 15A, 0.3V to 4.0V) per board

  • 64M standard and 128M optional parallel vector depth – subroutine capable
  • 8 programmable high-frequency clocks,up to 350 MHz – LVDS to the BIB

INCAL SONOMA

  • Handle devices up to 800 watts
  •  Liquid to Air heat exchanger for cabinet cooling
  •  Liquid to Liquid heat exchange for DUT Temp control
  •  Water-cooled and chilling for individual temperature control per device
  • Up to 88 DUTs
  • 128 digital I/O channels
  •  8 Core Power supplies 0.5V to 3.3V/200A
  • 8 Power Supplies 5V/12A
  •  4 Quad Core 4 x 2V/40A
  • 32 ADC channels
  •  Unlimited Vector Memory at 27M Burst
线上报名
01.01
1970
本次 MAFT 研讨会以「创新器件 & 封装」为核心主题,邀请专家学者们,聚焦超晶格铁电存储器、硅光子、6G高频EMI封装与量子计算等前瞻议题,带领与会者深入掌握下一世代半导体技术发展脉络。
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