Delayer 干式蚀刻及研磨去层次
干式蚀刻及研磨去层次（Delayer）是透过 离子干蚀刻、化学蚀刻或机械研磨 等方式，将集成电路（IC）内部的金属层与介电层逐层移除，使各层电路结构能够被清楚观察与分析，现代半导体芯片通常包含多层金属互连结构，例如 Metal1、Metal2 至 Metal6 甚至更多层，这些金属层与氧化层彼此堆叠形成复杂的电路架构，因此在进行 缺陷定位、制程诊断或电路解析 时，往往需要透过去层次技术逐层移除材料，以显露每一层的布线结构。
在去层次过程中，工程师必须精确控制材料移除速率与停止层位置，以避免损伤下层电路或破坏关键结构，透过适当的蚀刻条件与研磨制程，可在特定层次停留并保留目标结构，进而进行后续的显微分析与电路观察，透过去层次后的芯片结构，工程师可搭配 光学显微镜（OM）与扫描式电子显微镜（SEM） 进行高解析度观察，进一步确认制程缺陷或解析电路设计，干式蚀刻与机械研磨去层次技术广泛应用于半导体制程缺陷分析、IC 开路／短路故障定位、金属层裂痕与蚀刻残留检测、电路布线结构解析与IC 逆向工程等。
IC 层次去除主要利用 化学蚀刻、气体干蚀刻或机械研磨 的方式，逐步移除芯片内部结构中的金属层与介电层。透过精确控制蚀刻条件或研磨速率，可在特定层次停止并保留目标结构，进而进行后续分析。在实际分析中，工程师通常会 结合多种去层次技术，以确保每一层电路结构都能清晰呈现并避免损伤。
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化学蚀刻去层次：利用酸性或碱性化学溶液选择性溶解金属或氧化层。
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离子干蚀刻去层次（Reactive Ion Etching, RIE）：透过电浆反应与离子轰击方式移除材料，可精确控制蚀刻方向性与均匀度。
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机械研磨去层次（Mechanical Polishing）：以精密研磨设备逐步磨除材料，适合快速移除大面积层次。
在半导体故障分析与产品解析过程中，IC 去层次技术透过逐层移除材料并观察每一层结构，可有效协助工程师定位缺陷来源并解析电路设计，在 故障分析应用 中，去层次技术可用于观察制程中可能发生的异常，例如：金属层断线或裂痕、接孔（Via）填充不良、蚀刻残留（etch residue）、氧化层缺陷、金属短路或开路，透过逐层分析电路结构，可有效判断缺陷形成的位置与可能原因。在 逆向工程应用 中，工程师则可藉由层次去除与显微影像分析，重建芯片内部每一层的佈线设计，进而解析电路架构与功能配置。
闳康科技长期深耕半导体失效分析与材料分析领域，具备完整的 IC 去层次与显微分析整合能力。透过专业工程团队与先进设备，可精确控制层次移除并确保芯片结构完整。
- 精确层次控制能力：可依据不同制程结构与材料特性，选择最适合的蚀刻或研磨技术，精确控制停留层位置。
- 多技术整合分析能力：可结合 OM、SEM、FIB、TEM、EBSD、EDS 等多种分析技术，提供完整的故障分析流程。
- 丰富的先进制程分析经验：具备多层金属制程与先进制程元件的分析经验，可处理高密度电路与复杂封装结构。
- 高成功率的样品制备技术：透过成熟的制程控制与专业操作，可确保去层次样品品质并提高分析成功率。
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图｜精密研磨机台（Mechanical Polishing System）
精密研磨设备可透过控制研磨压力与研磨速率，逐步去除芯片材料，常用于 IC 去层次前期的大面积材料移除或层次平整化处理。 -
图｜反应式离子蚀刻机（Reactive Ion Etching, RIE）
反应式离子蚀刻机（RIE）利用电浆反应与离子轰击机制，精确移除芯片中的金属层或介电层材料，可控制蚀刻速率与方向性，常用于 IC 去层次与微结构加工。
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图｜光学显微镜影像（OM Imaging）
透过光学显微镜观察 IC 去层次后的金属布线结构，可快速辨识不同金属层（Metal 1 至 Metal 6）的布线配置与结构分布。 -
图｜扫描式电子显微镜影像（SEM Imaging）
利用扫描式电子显微镜（SEM）观察去层次后的电路结构，可获得更高解析度的金属布线与接孔结构影像，协助分析微细制程缺陷与电路细节。
