C-AFM（Conductive Atomic Force Microscopy）导电原子力显微镜是以原子力显微镜为基础，结合导电探针与偏压施加机制，实现表面形貌与局部电流讯号同步量测的高解析电性分析技术。

AFM 纳米探针电性量测技术 是以高空间解析度的原子力显微镜（AFM）为基础，结合多针纳米电性探测系统，在纳米尺度下直接对单一晶体管进行电性量测与失效定位的非破坏性分析技术。

SEM-based Nano-probing 可于 SEM 真空环境下，以低加速电压（Low kV）电子束搭配纳米探针进行，已成功应用于 5nm FinFET 制程节点。

Thermal EMMI 是透过侦测通电状态下元件所产生之微小热辐射，进行缺陷定位的高灵敏度失效分析技术。

IR-OBIRCH 是透过红外雷射扫描 IC 表面（或背面），藉由局部加温引发电阻变化，进而侦测异常导通或漏电位置的非破坏性失效分析技术。

EBAC 电子束吸收电流技术是扫描式电子显微镜（SEM）故障分析中重要的电性定位工具之一，特别适用于分析金属互连结构中的导通问题。

EBIC（Electron Beam Induced Current）电子束诱发电流分析技术是 SEM 失效分析（SEM Failure Analysis）中重要的电性定位方法之一。

3D OM 光学显微镜是利用光学干涉、焦平面堆叠或白光干涉等原理，能在非破坏情况下取得样品的立体高度资讯（Z 轴），并同步呈现高解析度 2D × 3D 结构影像。

光学显微镜是利用可见光对样品表面进行照射，透过反射、散射与光学对比差异，快速揭露元件、材料与结构的宏观形貌，提供后续分析的重要基准点。

3D X-ray（High Resolution 3D X-ray Microscope）透过样品旋转取得多角度影像，并利用电脑重建三维结构，使工程师能从不同角度观察内部缺陷，甚至进行虚拟切片分析。

2D X-ray  是在不破坏样品的情况，藉由高能量撞击金属靶材激发出的x-ray具有穿透特性，借此成像特性以观察及判断先进封装内部是否存在空焊、HIP or Hop 等现象。

扫描电子显微镜，或称扫描式电子显微镜，是利用高能电子束扫描样品表面，并藉由电子与材料相互作用所产生之讯号来形成影像的高解析显微分析技术。

双束电浆聚焦离子束（Dual Beam Plasma FIB, DP-FIB）是结合电浆离子束与扫描电子显微镜（SEM）的高效能材料加工与分析设备。

电子背向散射绕射（Electron Backscatter Diffraction, EBSD）是一种利用电子绕射讯号来解析材料晶体结构与晶粒取向的重要显微分析技术。

二次离子质谱仪（Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS）是一种高灵敏度的材料分析技术，广泛应用于半导体制程分析、材料研究、元素分布量测与微量污染分析。

X光光电子能谱仪（X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS）是一种高灵敏度的表面分析技术，可用于量测材料表面的元素组成与化学键结状态。

X射线荧光分析（X-ray Fluorescence, XRF）是一种非破坏性的元素分析技术。

欧杰电子能谱分析（Auger Electron Spectroscopy, AES）是一种高解析度的表面元素分析技术，可用于分析材料表面极薄层的元素组成与化学状态。

傅立叶转换红外光谱仪（Fourier Transform Infrared Spectroscopy, FTIR）是一种利用红外光吸收特性进行材料有机成分分析的光谱技术。

原子力显微镜（Atomic Force Microscope, AFM）是一种高解析度的扫描探针显微镜技术，可用于量测材料表面的纳米尺度形貌与结构特徵。

薄膜厚度轮廓测量仪（α-Step）是一种利用机械式探针扫描进行表面轮廓量测的精密仪器。系统以钻石制作的尖端探针（Stylus）在样品表面进行线性扫描。

展阻分析仪（SRP）是半导体材料分析中常用的电性量测技术，可量测接面深度、电阻率及有效载子浓度的纵深分布，广泛应用于离子布植与制程监控分析。

扫描式电容显微镜（SCM）是一种基于扫描探针显微镜（SPM）的半导体分析技术，可用于观察材料中二维掺杂分布（2D Doping Distribution），并可清楚区分 N 型与 P 型区域。

化学质谱分析（Mass Spectrometry, MS）是一种高灵敏度的分析技术，广泛应用于材料分析、半导体分析、环境监测、生物医学研究、食品检测与化学研究等领域。

感应耦合电浆质谱分析仪（ICP-MS）是一种高灵敏度的元素分析技术，主要用于测定样品中的微量元素与同位素组成。

LC-MS/MS  为液相层析仪 (LC) 与 质谱仪 (MS) 串联的分析技术，结合了液相层析的高效分离能力与质谱的高灵敏度质量分析能力。

干式蚀刻及研磨去层次（Delayer）是透过离子干蚀刻、化学蚀刻或机械研磨等方式，将集成电路（IC）内部的金属层与介电层逐层移除。

雷射蚀刻去封胶（Laser Decapsulation）是非接触式制程，常用于失效分析（Failure Analysis, FA） 的样品制备技术。

化学蚀刻去封胶（Chemical Decapsulation）是一种常用于 半导体元件失效分析（Failure Analysis, FA） 的样品制备技术。

雷射植球技术（Laser re-balling） 是透过非接触式雷射加热与单颗植球控制，可在微小区域内精准完成锡球接合，大幅降低热影响与机械应力，成为先进封装与分析应用的重要解决方案。

在半导体封装与电子产品开发过程中，当元件发生异常、需进行替换或进一步分析时，Rework（返修）技术即成为不可或缺的关键制程。

打线接合（Wire Bonding） 是将晶粒（Die）与外部电路或封装接脚建立电性连接的重要技术。

离子研磨（Ion Milling），亦称为 Cross-Section Polishing（CP），是一种利用高能离子束轰击样品表面，以移除材料并形成平滑截面的样品制备技术。

FIB 是利用金属镓 (Ga, 原子序31) 作为离子源，利用加在 Extractor 的负电场将镓原子由针尖端牵引出，形成镓离子束，透过电透镜聚焦，经过一连串变化孔径可决定离子束的大小，最后离子束再经过第二次聚焦至试片表面。

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