SCM 扫描式电容显微镜

扫描式电容显微镜（Scanning Capacitance Microscopy, SCM）是一种基于扫描探针显微镜（SPM）的半导体分析技术，可用于观察材料中二维掺杂分布（2D Doping Distribution），并可清楚区分 N 型与 P 型区域。

在量测过程中，于金属镀膜探针与样品之间施加交流电压（AC bias），量测电容变化讯号 dC/dV，并将讯号转换为材料的掺杂分布影像，藉由此方式，可取得半导体结构中的P-N 接面位置与掺杂分布情形，由于SCM建立于扫描探针显微镜架构，其平面解析度可达约 100 nm 以上，适合分析纳米尺度的半导体元件结构。

相较于其他分析技术，SCM则可提供高解析度的二维掺杂影像，因此在制程分析、失效分析与逆向工程中具有重要价值。

• SIMS 与 SRP 仅能提供一维的掺杂纵深分布

• SEM 搭配化学蚀刻染色较难精确控制蚀刻条件

 

扫描式电容显微镜主要应用于二为载子浓度影像的观察与分析

扫描式电容显微镜建立于扫描探针显微镜的架构上，因此其平面解析度可达 100 纳米以上，分析时加 AC 电压于金属镀膜探针上，量测 dC/dV 讯号转换为二维掺杂分布，可分辨出N型与P型区域及其界面。