扫描式电容显微镜（Scanning Capacitance Microscopy, SCM）是一种基于扫描探针显微镜（SPM）的半导体分析技术，可用于观察材料中二维掺杂分布（2D Doping Distribution），并可清楚区分 N 型与 P 型区域。
在量测过程中，于金属镀膜探针与样品之间施加交流电压（AC bias），量测电容变化讯号 dC/dV，并将讯号转换为材料的掺杂分布影像，藉由此方式，可取得半导体结构中的P-N 接面位置与掺杂分布情形，由于SCM建立于扫描探针显微镜架构，其平面解析度可达约 100 nm 以上，适合分析纳米尺度的半导体元件结构。
相较于其他分析技术，SCM则可提供高解析度的二维掺杂影像，因此在制程分析、失效分析与逆向工程中具有重要价值。
SIMS 与 SRP 仅能提供一维的掺杂纵深分布
SEM 搭配化学蚀刻染色较难精确控制蚀刻条件
Bruker Icon 扫描探针显微镜 ，可进行高解析度的半导体掺杂分布分析。该系统透过导电探针扫描样品表面，并量测 dC/dV（电容对电压变化）讯号，可获得半导体材料的二维掺杂分布影像，并清楚辨识 N 型与 P 型区域及其接面位置。适合分析先进半导体元件中的掺杂结构与接面分布。此设备常应用于：
半导体 P-N接面分析
二维掺杂分布观察
制程缺陷与漏电分析
IC结构逆向工程分析
(a) SCM 扫描影像显示半导体元件中不同区域的掺杂分布。透过量测 dC/dV 讯号并转换为影像，可清楚观察元件内部的 N 型与 P 型掺杂区域及其接面位置，呈现纳米尺度的二维掺杂结构。
(b) SCM 量测结果影像与讯号分布。色阶代表不同的电容讯号变化（dC/dV），对应材料中不同的掺杂型态与浓度分布，可用于分析 P-N 接面形貌、掺杂均匀性以及制程异常区域。
此图为 扫描式电容显微镜（SCM）量测得到的 Trench 结构平面掺杂分布影像。透过量测 dC/dV 讯号并转换为影像，可呈现元件表面不同区域的掺杂型态与分布情形。
影像中的色阶对应材料的掺杂型态，其中：
亮色区域代表 P 型掺杂区域
暗色区域代表 N 型掺杂区域
藉由 SCM 高解析度的二维掺杂影像，可清楚观察 Trench 结构周围的掺杂分布与接面形貌，有助于分析元件结构设计、制程均匀性及潜在缺陷。
此分析技术常应用于：
先进半导体元件掺杂分布分析
P-N 接面结构观察
制程异常或漏电问题分析
IC 结构逆向工程解析
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