雷射蚀刻去封胶

闳康科技长期深耕半导体材料分析与失效分析领域，具备完整的 雷射去封胶与显微分析整合能力。透过高精度雷射去封装设备与专业制程控制，可精确移除 IC 封装树脂，并有效保护晶粒与内部封装结构，为后续失效分析与显微检测提供高品质样品。

闳康科技亦可将 雷射去封胶与化学蚀刻去封胶技术整合应用，先利用雷射进行局部开封，再透过化学蚀刻去除残余封装材料，以确保晶粒结构完整裸露并提升分析品质，结合 OM、SEM、FIB 与 TEM 等多种材料分析技术，闳康科技能提供完整的 IC 失效分析与封装结构检测服务，协助客户快速定位问题并提升产品可靠度。

 

 

• 精准控制开窗范围：透过雷射加工技术，可精确控制去封装区域与深度，避免过度蚀刻造成晶粒或金线结构损伤，特别适合局部开封与精密分析需求。
• 快速且高效率的样品制备：雷射去封胶可快速移除封装材料，大幅缩短样品制备时间，提升失效分析与品质检测的效率。
• 降低对元件电性的影响：透过精确的雷射能量控制，可有效降低加工过程对 IC 电性与内部结构造成的影响，确保后续电性分析的可靠性。
• 适用多种封装结构：雷射去封胶技术可应用于多种 IC 封装型式，例如 QFN、BGA、SOP、QFP 等封装元件，能因应不同分析需求进行客制化开封。

雷射去封胶完成后，可裸露晶粒与内部封装结构，以进行后续显微分析与电路检测，例如：IC 失效分析（Failure Analysis）、封装结构检查、金线接点品质分析与电路观察与逆向工程等。