共同封装光学(CPO)良率关键: 拆解硅光子主被动组件的四大测试指针
随着人工智能与高速运算对数据传输速率的要求跨入800G 甚至 1.6T 世代,传统的铜线电传输已达到物理极限,将「电」转为「光」的硅光子技术,以及CPO共同封装光学已成为下世代半导体的标准配备。
然而硅光子与传统半导体最大的不同,在于它必须同时处理「光、电、热、机械」的跨领域互动,如果无法在晶圆阶段就筛选出不良品,一旦进入高成本的CPO封装阶段才发现组件失效,将造成巨大的材料与成本浪费,本文将深入拆解如何透过先进的一站式自动化量测平台,完整涵盖硅光子的四大核心测试项目。
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O-O(光对光)测试:被动组件与传输质量的体检
O-O(Optical to Optical ,光进光出) 测试是指输入与输出皆为光讯号的测试流程,主要针对芯片上的被动光学组件(如光栅耦合器 Grating Coupler、波导 Waveguide、微环谐振器 MRR),量测指标包含:
- 插入损耗(Insertion Loss, IL),IL评估光讯号在通过组件时的衰减程度。
- 偏振相关损耗(Polarization Dependent Loss, PDL), PDL评估光讯号在不同偏振态对光损耗的影响。
- 反射损耗(Return Loss, RL):用来衡量讯号在传输系统中反射回源头的功率比例。
- 漏光位置定位:精确找出物理缺陷,提供光学失效分析(OFA)的核心数据。
- 直流半波电压(Vπ):在不加交流信号的情况下,仅施加直流偏置电压时,使输出光信号的相位改变 π(即 180 度)所需的直流电压值。
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O-E(光对电)测试:高速光电探测器的特性分析
O-E(Optical to Electrical ,光进电出)测试是指输入光讯号,输出电讯号的测试。
- 光讯号传输到接收端后,必须透过光电探测器(如锗硅光电探测器 Ge/Si PD)将其还原为电讯号。看它能否将光学讯号精准且快速地还原为电子讯号。
- 动态参数测试:包含光电探测器的响应度与调变器消光比(Extinction Ratio, ER)。
- 代表性测试项目Modulator EO S21 (电光转换带宽)定义为衡量光调变器将「输入的电讯号」转换为「输出光讯号」的频率响应能力。目的是确认调变器在高频电讯号驱动下,光讯号的输出功率是否会严重衰减。
- 代表性测试项目PD OE S21 (光电转换带宽) 定义为衡量光电探测器(Photodiode, PD)将「输入的光讯号」还原为「输出电讯号」的频率响应能力。目的是确认接收端的高速 photodiodes 可以跟上高速光脉冲的变化,而不会产生讯号失真。
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E-O(电对光)测试:验证主动调变的高效能
E-O (Electrical to Optical,电进光出)是指输入电讯号,输出光讯号的测试。当电学讯号输入时,主动光学组件(如马赫-曾德尔调变器 MZM)必须能高效且不失真地将数据写入光波之中,关键量测指标:
- 光学眼图(Optical Eye Diagram):用于观察讯号波形的清晰度与完整性。
- 消光比(Extinction Ratio, ER)与 光调变幅度 (OMA): 衡量光讯号「1」与「0」之间的对比度,比值越高代表错误率越低。
- TDECQ: 评估高速光讯号在垂直与水平方向的讯号质量分散代价。
测试重点|旨在验证受电压触发时的光输出强度、调变效率与相位变化,以确保数字电讯号能完美且精准地转换为高速光脉冲。
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E-E(电对电)测试:热调谐与微型组件监控
E-E (Electrical to Electrical ,电进电出)是指输入电讯号,输出电讯号的测试。- 硅光子芯片内部通常整合了微型加热器或微环谐振器(Micro-ring modulator, MRM)等组件,对温度极为敏感,这些组件用以微调光学组件的折射率与波长。E-E 测试旨在确保这些热调谐电路与电子驱动芯片(EIC)的整合特性及功耗符合设计。
- 量测项目包含 MPD(监控光电二极管)暗电流、Heater 阻值测试(Resistance)以及 Power-to-π Phase Shift(功率至 π 相移特性),能精确监控芯片在不同热功耗下的电学与物理稳定性。
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